品质因数FOM是英飞因数半导体性能的量化指标之一。MOSFET的凌第FOM由漏-源导通电阻与器件的一个或多个参数的乘积得出。FOM值越低，品质器件性能越好。英飞因数

如下是凌第对SiC MOSFET具有重要意义的品质因数：

RDS(on)*Area: 这是最常用的FOM，它代表了MOSFET技术的品质进步

RDS(ON)× Qg: 综合反映静态导通损耗与栅极驱动损耗，是英飞因数器件选型与代际对比的基础指标

RDS(ON)× Coss:软开关核心指标，决定轻载损耗与谐振频率，凌第FOM 越小，品质轻载效率越高、英飞因数可工作频率越高

RDS(ON)× Eoss: 评估轻载 / 待机损耗，凌第Eoss越小，品质轻载下充放电损耗越低

器件数据手册通常不会给出FOM值。英飞因数英飞凌推出的凌第1200V第二代CoolSiC MOSFET，采用先进的品质沟槽栅SiC技术，实现了品质因数的全面突破。CoolSiC MOSFET G2能够实现超低导通电阻与低输出电容的完美结合，助力系统设计更紧凑、更经济。其业界领先的栅极电荷和输出电容特性，显著降低了开关损耗，提升了高频操作下的能效。此外，高栅-源阈值电压设计有效防止了寄生导通，确保了系统的稳定运行。无论是硬开关还是软开关应用，CoolSiC MOSFET都能提供灵活的设计空间，助力工程师打造卓越、高性能的解决方案。

• ·AMD Alveo媒体加速产品组合SDK 1.2.1发布
• ·【AI大讲堂】中星联华走进高校系列
• ·将职业体验作为大学“开学第一课”
• ·台风“苏拉”将影响中国
• ·鼓楼社区开展防灾减灾安全教育_
• ·全球电子元件市场报告：AI 与新能源汽车增长机遇
• ·别让奢华的毕业照冲淡了情谊的分量
• ·Arbe荣获2025年汽车技术突破奖“年度传感器技术解决方案”奖项
• ·禾赛科技荣获四大重磅奖项
• ·首届“常春藤杯”亲子快乐公益运动会举行
• ·直播带高校：让学生感受更真实的大学情怀
• ·33岁“烧烤爱好者”查出肠道肿瘤
• ·缓存对大数据处理的影响分析
• ·华盛昌亮相第138届广交会
• ·养老人才欠缺，养老专业作为“入学即入职”项目试点
• ·台积电Q3净利润4523亿元新台币 英伟达或取代苹果成台积电最大客户